AgGaSe2 کریسټالونه - د بند څنډې په 0.73 او 18 µm کې
د تولید ځانګړتیاوې
د 2.5-12 µm دننه ټوننګ ترلاسه شوی کله چې د Ho:YLF لیزر په 2.05 µm کې پمپ کول؛همدارنګه د 1.9–5.5 µm دننه غیر مهم پړاو میچنګ (NCPM) عملیات کله چې په 1.4–1.55 µm کې پمپ کول.AgGaSe2 (AgGaSe) د انفراریډ CO2 لیزر وړانګو لپاره د موثر فریکونسۍ دوه چنده کولو کرسټال ښودل شوی.
د فیمټوسیکنډ او پیکوسیکنډ رژیم کې په سوداګریز ډول موجود همغږي شوي پمپ شوي آپټیکل پیرامیټریک اوسیلیټرونو (SPOPOs) سره په ترکیب کې کار کولو سره ، AgGaSe2 کرسټالونه د مینځنۍ IR سیمه کې د غیر خطي پیرامیټریک ښکته تبادلې (د توپیر فریکونسۍ تولید ، DGF) کې مؤثره ښودل شوي.د منځني IR غیر خطي AgGaSe2 کرسټال د سوداګریزې لاسرسي وړ کرسټالونو په مینځ کې یو له خورا لوی وړتیا (70 pm2/V2) څخه لري، کوم چې د AGS معادل څخه شپږ ځله ډیر دی.AgGaSe2 د یو شمیر ځانګړو دلایلو لپاره د نورو مینځني IR کرسټالونو څخه هم غوره دی.AgGaSe2، د مثال په توګه، لږ ځایی واک آف لري او د ځانګړو غوښتنلیکونو لپاره د درملنې لپاره لږ اسانه شتون لري (د مثال په توګه وده او کټ سمت)، که څه هم لوی غیر خطي او مساوي روڼتیا ساحه لري.
غوښتنلیکونه
● په CO او CO2 - لیزرونو کې د دوهم هارمونیک تولید
● آپټیکل پیرامیټریک اوسیلیټر
● تر 17 mkm پورې منځنۍ انفراریډ سیمو ته مختلف فریکونسۍ جنراتور.
● په منځنۍ IR سیمه کې د فریکونسی مخلوط کول
بنسټیز ملکیتونه
| کرسټال جوړښت | تيتراګونل |
| د حجرې پیرامیټونه | a=5.992 Å، c=10.886 Å |
| د وېلې کېدو نقطه | 851 سانتي ګراد |
| کثافت | 5.700 g/cm3 |
| د محس سختۍ | 3-3.5 |
| د جذب کوفیینټ | <0.05 cm-1 @ 1.064 µm <0.02 cm-1 @ 10.6 µm |
| نسبي ډایالټریک ثابت @ 25 MHz | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| د تودوخې پراخول کثافات | ||C: -8.1 x 10-6 /°C ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C |
| د تودوخې چلښت | 1.0 W/M/°C |
